恭喜三星电子株式会社金汶洙获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利用于生成老化模型并使用其制造半导体芯片的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111177986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911095880.4,技术领域涉及:G06F30/32;该发明授权用于生成老化模型并使用其制造半导体芯片的方法是由金汶洙设计研发完成,并于2019-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生成老化模型并使用其制造半导体芯片的方法在说明书摘要公布了:一种生成设计半导体芯片中使用的老化模型的方法包括:从半导体芯片的老化模型库提取包括半导体芯片的使用条件的多个老化场景;从所述多个老化场景计算共同应用于包括在半导体芯片中的多个半导体元件的第一老化参数;以及使用各个半导体元件的第一老化参数和第二老化参数通过仿真来生成由于每个半导体元件的老化而导致的特性劣化信息。
本发明授权用于生成老化模型并使用其制造半导体芯片的方法在权利要求书中公布了:1.一种生成在半导体芯片的设计中使用的老化模型的方法,所述半导体芯片包括多个半导体元件,该方法包括步骤:从所述半导体芯片的老化模型库提取包括所述半导体芯片的使用条件的多个老化场景;根据所述多个老化场景计算共同应用于所述多个半导体元件中的每一个半导体元件的第一老化参数,其中,所述第一老化参数针对所述多个半导体元件中的每一个半导体元件具有相同的值;以及使用所述第一老化参数和第二老化参数通过仿真来生成由于所述多个半导体元件中的每一个的老化而导致的特性劣化信息,其中,所述第二老化参数的值对应于所述多个半导体元件中的单独的半导体元件。
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