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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911302205.4，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻的第一区与第二区；在基底上形成第一介质层，第一介质层分别位于第一区与第二区上，第一介质层内具有一个或多个第一插塞结构，第一介质层暴露出第一插塞结构的顶部表面；在第一介质层上形成第一导电层，第一导电层位于第二区上；在第一区的第一介质层上、以及第一导电层上形成第二介质层；在第二介质层内形成第二插塞结构，第二插塞结构位于第一区上，第二插塞结构的底部表面与第一插塞结构的顶部表面接触。通过将第一插塞结构与第二插塞结构直接连接，省去了制作字线导电层WL与电源导电层Vss的步骤，在满足电学结构的前提下，能够有效的提高生产效率，同时降低了制作成本。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区与第二区；在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层分别位于所述第一区与所述第二区上，所述第一介质层内具有一个或多个第一插塞结构，所述第一介质层暴露出所述第一插塞结构的顶部表面；第一介质层内还具有栅极导电层和若干源漏导电层；所述第一插塞结构位于所述源漏导电层和栅极导电层中的一者或两者表面；所述第一介质层内还具有位于基底表面的第一上拉栅极、第一下拉栅极和第一传输栅极；所述第一上拉栅极两侧的基底内分别具有第一源区和第一漏区；所述第一下拉栅极两侧的基底内分别具有第二源区和第二漏区；所述第一传输栅极两侧的基底内分别具有第三源区和第三漏区；所述栅极导电层位于所述第一传输栅极的顶部表面，若干所述源漏导电层分别位于所述第一漏区、第二漏区以及第三源区的顶部表面；在所述第一介质层上形成第一导电层，所述第一导电层位于所述第二区上；在所述第一区的第一介质层上、以及所述第一导电层上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二插塞结构，所述第二插塞结构位于所述第一区上，所述第二插塞结构的底部表面与所述第一插塞结构的顶部表面接触。

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