恭喜三星电子株式会社金钟润获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010272728.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装及其制造方法是由金钟润;朴正镐;李锡贤;张延镐;张在权设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体封装包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案；第一半导体芯片，设置在重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在重新分布绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，下电极焊盘包括嵌入在重新分布绝缘层中的第一部分和从重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，下电极焊盘的第一部分的厚度大于下电极焊盘的第二部分的厚度。
本发明授权半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案，所述重新分布绝缘层包括第一绝缘层；第一半导体芯片，设置在所述重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到所述重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在所述重新分布绝缘层的与所述第一表面相对的第二表面上，所述下电极焊盘包括嵌入在所述重新分布绝缘层中的第一部分和从所述重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，所述下电极焊盘的第一部分的厚度大于所述下电极焊盘的第二部分的厚度，其中，所述重新分布图案形成在所述第一绝缘层的顶表面上，所述下电极焊盘形成在所述第一绝缘层的底表面上，并且其中，所述重新分布图案包括种子层，所述种子层接触所述第一绝缘层的顶表面和所述下电极焊盘的顶表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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