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龙图腾网恭喜厦门大学申请的专利一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111769087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010460602.0，技术领域涉及：H01L23/46；该发明授权一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法是由马盛林;练婷婷;王玮;金玉丰设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外，本发明还提出了实现上述结构的制作方法。

本发明授权一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：包括TSV转接板，所述TSV转接板的上、下表面分别设有金属布线层，上表面设有导流结构，体内设有分别沿厚度方向延伸的互连结构、输入微流道和输出微流道，所述输入微流道分别于所述TSV转接板的上、下表面设有第一出口和第一入口，所述输出微流道分别于所述TSV转接板的上、下表面设有第二入口和第二出口，且所述第一入口和第二出口分别位于所述第一出口和第二入口的外侧；GaN器件，设于所述TSV转接板之上，所述GaN器件的衬底背面设有第一开放微流道，所述第一开放微流道水平方向的两侧分别通过所述导流结构与所述第一出口和第二入口导通；壳体，所述壳体设有流道，所述流道包括设于所述壳体的底部上表面的第三入口和第三出口，所述TSV转接板装配于所述壳体内且所述第三入口与所述第一入口导通，所述第三出口与所述第二出口导通；电路板，设于所述壳体的侧壁顶部并与所述TSV转接板电气连接。

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