恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司胡月获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利图形修正方法及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114063380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010791533.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权图形修正方法及半导体结构的形成方法是由胡月;舒强;王占雨;张迎春设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形修正方法及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种图形修正方法及半导体结构的形成方法，图形修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形；对所述修正版图进行光学邻近效应修正。以所述方法获取的第一修正图形经过光学邻近效应修正后的光刻图形，所述光刻图形的尺寸精准度较高。
本发明授权图形修正方法及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图形修正方法，其特征在于，包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形，所述第二类线段为除第一类线段之外的线段；对所述修正版图进行光学邻近效应修正。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号