恭喜华为技术有限公司;中国科学院上海光学精密机械研究所魏劲松获国家专利权
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龙图腾网恭喜华为技术有限公司;中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011278986.0，技术领域涉及：G11B7/24038；该发明授权一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统是由魏劲松;徐君;王阳;刘人奇;唐泓炜设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统在说明书摘要公布了：一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统，本申请中，光存储介质包括基板和至少一个数据层，数据层包括记录层和间隔层，记录层位于间隔层之上；数据层位于基板之上。该记录层可以存储数据，在该记录层中包括分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域，这两种不同的区域可以指示不同的数据。在上述光存储介质中，由于分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域差异明显，在该光存储介质中记录层的层数增多，所能存储的数据增大的情况下，分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域仍能保证较佳的区分度，在确保数据读写的准确性的情况下，能够提高光存储介质中记录层的层数，增大光存储介质的容量。
本发明授权一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统在权利要求书中公布了：1.一种光存储介质，其特征在于，所述光存储介质包括基板和多个数据层，所述多个数据层位于所述基板之上；任一所述数据层包括记录层和间隔层，所述记录层位于所述间隔层之上；所述记录层，用于存储数据，所述记录层包括分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域，所述分布有相变材料的区域和所述未分布相变材料的区域分别用于指示不同的数据。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司;中国科学院上海光学精密机械研究所，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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