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龙图腾网恭喜武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的加工方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011444654.5，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体器件的加工方法及半导体器件是由叶国梁;陈俊宇设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的加工方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的加工方法及半导体器件。该半导体器件的加工方法包括：提供半导体预制件；其中，半导体预制件包括衬底、设置在衬底的一表面上的第一介质层以及嵌设于第一介质层内的至少一金属引出端；在第一介质层远离衬底的表面开设沟槽，沟槽暴露出金属引出端；在沟槽内形成连接垫，连接垫与金属引出端连通，且连接垫的上表面低于第一介质层远离衬底的表面；对半导体预制件进行扎针测试；其中，对半导体预制件进行扎针测试之后连接垫表面形成凸起部；在第一介质层远离衬底的表面形成第二介质层，第二介质层覆盖凸起部。该方法能够大大降低所得产品的厚度，有利于产品向轻薄化方向发展。

本发明授权半导体器件的加工方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括：提供半导体预制件；其中，所述半导体预制件包括衬底、设置在所述衬底的一表面上的第一介质层以及嵌设于所述第一介质层内的至少一金属引出端；在所述第一介质层远离所述衬底的表面开设沟槽，所述沟槽暴露出所述金属引出端；在所述沟槽内形成连接垫，所述连接垫与所述金属引出端连通，且所述连接垫的上表面低于所述第一介质层远离所述衬底的表面；其中，所述第一介质层内还嵌设有多层金属层，所述多层金属层相互连通且通过所述金属引出端引出以与所述连接垫电连接；所述金属引出端形成于多层金属层中最靠近衬底的金属层上，且所述金属引出端与所述多层金属层偏离设置；对所述半导体预制件进行扎针测试；其中，对所述半导体预制件进行扎针测试之后所述连接垫表面形成凸起部；在所述第一介质层远离所述衬底的表面形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述凸起部。

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