恭喜美光科技公司O·R·费伊获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011478245.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统是由O·R·费伊;C·H·育设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统在说明书摘要公布了：本申请案涉及堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统。中介层包括半导体材料并包含在所述中介层上的针对主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统也可位于所述中介层上的针对存储器装置的一或多个位置下方。还揭示并入有此中介层及包括主机装置及多个存储器装置的微电子装置组合件以及制造此类微电子装置组合件的方法。
本发明授权堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统在权利要求书中公布了：1.一种堆叠中介层结构，其包括：第一中介层，其包括：第一核心，其包括半导体材料；第一重布结构，其包括在所述第一核心的侧上方的多个重布层RDL，所述第一重布结构被配置为在所述第一重布结构的表面上可操作地耦合到一或多个存储器装置堆叠位置和处理器装置位置；高速缓存存储器，其至少部分位于所述第一核心内，邻近所述第一重布结构，位于所述第一重布结构下方且通过所述第一重布结构可操作地耦合到所述处理器装置位置；及第一组穿硅通路TSV，其从所述第一重布结构延伸通过所述第一核心到所述第一核心的相对侧；及第二中介层，其包括：第二核心，其包括半导体材料；第二重布结构，其包括在所述第二核心的侧上方的多个重布层RDL；第二组穿硅通路TSV，其从所述第二重布结构延伸通过所述第二核心到所述第二核心的相对侧；且所述第一重布结构及所述第二重布结构通过所述第一组TSV及所述第二组TSV两者可操作地耦合。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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