恭喜富泰华工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司陈中怡获国家专利权
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龙图腾网恭喜富泰华工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司申请的专利三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011505918.3，技术领域涉及：H10D84/02；该发明授权三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构是由陈中怡设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构在说明书摘要公布了：一种三维半导体结构的制作方法，其包括在衬板上形成第一绝缘层，且第一绝缘层上开设至少一通道孔，每一通道孔贯穿第一绝缘层且暴露出衬板；在每一通道孔内的依次层叠生成第一外延层与第二外延层，其中所述第一外延层为不均匀掺杂层以形成较低阻值的源极区或漏极区；在第一绝缘层上形成交替层叠设置的第二绝缘层与牺牲层；以及在第二外延层上逐步生成交替层叠设置的多个第一外延层与多个第二外延层；本发明还提供一种由该三维半导体结构制作方法制作的三维半导体结构。
本发明授权三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬板，在所述衬板上沉积第一绝缘层，在所述第一绝缘层上开设至少一通道孔，每一通道孔贯穿所述第一绝缘层且暴露出所述衬板；在每一通道孔内依次层叠生成不均匀掺杂的第一外延层与第二外延层，所述第一外延层用于形成源极区或漏极区；在所述第一绝缘层上形成牺牲层且使所述第二外延层相对所述牺牲层露出，在所述第二外延层上层叠生成又一第一外延层；在所述牺牲层上形成第二绝缘层且使所述又一第一外延层相对所述第二绝缘层暴露，在所述又一第一外延层上层叠生成又一第二外延层；以及参照上一步骤，在所述第二绝缘层上依次交替地形成层叠设置的多个牺牲层与多个第二绝缘层，以及在所述又一第二外延层上依次交替地生成层叠设置的多个第一外延层与多个第二外延层。
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