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龙图腾网恭喜苏州腾晖光伏技术有限公司申请的专利一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011644553.2，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法是由赵保星;连维飞;张树德;符欣;魏青竹;倪志春设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及了一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法，钝化接触栅线的太阳能电池结构，包括：p型硅基底层；正面电极，设于所述p型硅基底层上表面的栅线区域；钝化隧穿结构层，设于所述p型硅基底层、所述正面电极两者之间，所述钝化隧穿结构层包括由下至上依次堆叠设置的氧化硅隧穿层与掺杂多晶硅层；以及正面电池结构，包括：n++扩散层，所述n++扩散层堆叠设置于所述p型硅基底层上、且位于所述p型硅基底层上表面的非栅线区域。通过上述设置，可解决目前poly‑finger技术制备工艺难度大、poly‑finger结构的隧穿接触效果较差导致电池性能较差的问题。

本发明授权一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触栅线的太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对p型硅片进行制绒，形成p型硅基底层；步骤B：在所述p型硅基底层上表面的栅线区域制备氧化硅层，形成氧化硅隧穿层；步骤C：通过掩膜法PECVD在所述氧化硅隧穿层上沉积非晶硅层；其中，步骤C具体包括：在所述太阳能电池结构的上方覆盖掩膜板，通过掩膜法PECVD沉积所述非晶硅层；其中，所述掩膜板的开口图形与栅线图形一致、开口宽度为10～150μm，所述掩膜板距离所述p型硅基底层的距离不大于2cm；沉积工艺的功率为1500～3000W，沉积温度为200～500℃，沉积厚度为20～200nm；步骤D：在扩散炉中对所述太阳能电池结构的正面进行磷扩，使得所述p型硅基底层上表面的非栅线区域形成n++扩散层，所述n++扩散层的扩散方阻为100～220欧姆；同时，将沉积的所述非晶硅层部分晶化形成多晶硅层、并进一步进行掺杂，形成掺杂多晶硅层；步骤E：对所述太阳能电池结构的背面进行刻蚀抛光；步骤F：对所述太阳能电池结构的正面进行热氧化；步骤G：对所述太阳能电池结构的背面进行氧化铝沉积；步骤H：在氧化铝沉积完成之后，对所述太阳能电池结构的背面氮化硅沉积，形成背面氧化铝氮化硅叠层膜；步骤I：通过PECVD法在所述太阳能电池结构的正面进行氮化硅沉积，形成正面减反膜层；步骤K：在所述太阳能电池结构的正面进行印刷烧结形成栅线，形成正面电极；步骤K具体包括：步骤K1：在所述太阳能电池结构的正面和或背面进行电极制备；步骤K2：采用链式烧结炉，通过烧结形成金属化接触，形成正面电极和或背面电极。

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