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龙图腾网恭喜日东电工株式会社申请的专利磁控等离子体成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025338.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权磁控等离子体成膜装置是由森地健太;齐藤正一朗设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁控等离子体成膜装置在说明书摘要公布了：磁控溅射成膜装置1具备成膜辊10和磁控等离子体单元11。磁控等离子体单元11具备旋转靶17和磁体单元18。磁体单元18相邻地具备第1磁极部21和第2磁极部22。第1磁极部依次具有第1区域23、第2区域24、以及第3区域25。这些区域各自具有作为磁化方向的分解分量而得到的第1分量和第2分量中的至少一个。在第1区域23和第3区域25中，第1分量比第2分量大，它们是反向的。在第2区域24中，第1分量比第2分量小。

本发明授权磁控等离子体成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种磁控等离子体成膜装置，其特征在于，该磁控等离子体成膜装置具备：成膜辊；和磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，所述磁控等离子体单元具备：旋转靶，其轴线在与所述成膜辊的轴线相同的方向上延伸；和磁体单元，其配置于所述旋转靶的径向内侧，所述磁体单元具备：第1磁极部；和第2磁极部，其在与第1方向正交的第2方向上与所述第1磁极部相邻，该第1方向沿着连结所述成膜辊的轴线和所述旋转靶的轴线的线段，所述第1磁极部和所述第2磁极部各自具有沿着所述成膜辊的轴线方向延伸的四棱柱形状，所述第1磁极部和所述第2磁极部在所述第2方向上相邻配置，所述第1磁极部朝向所述第2方向的一侧依次具有第1区域、第2区域、以及第3区域，所述第2磁极部朝向所述第2方向的另一侧依次具有第1区域、第2区域、以及第3区域，所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域各自具有将磁化方向分解为所述第1方向和所述第2方向而得到的第1分量和第2分量中的至少一个，在所述第1区域中，所述第1分量比所述第2分量大，在所述第2区域中，所述第1分量比所述第2分量小，在所述第3区域中，所述第1分量比所述第2分量大，与所述第1区域中的所述第1分量反向，所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域各自的第2方向长度与所述第1磁极部的第2方向长度之比是0.2以上且0.4以下，所述第1区域、所述第2区域、所述第3区域各自的第2方向长度与所述第2磁极部的第2方向长度之比是0.2以上且0.4以下。

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