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龙图腾网恭喜桂林电子科技大学申请的专利一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112968680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110342556.9，技术领域涉及：H03F3/193；该发明授权一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路是由段吉海;曾威;韦保林;徐卫林;韦雪明;岳宏卫设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其包括输入阻抗匹配网络、放大级、差分输出级和负载级。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明共用了带源极负反馈共栅放大器，提高了电路的功率增益，同时在芯片的面积、成本以及电路利用率也有明显的提高。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明采用开关控制偏置电压的关断，设计难度变低，设计的灵活性变强，使电路在各个频段上得到良好的噪声性能和阻抗匹配效果。本发明通过开关控制对频段通路的选择，有效的降低了系统的功耗。

本发明授权一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其特征是，包括输入阻抗匹配网络、放大级、差分输出级和负载级；输入阻抗匹配网络由隔直电容C1-C2、栅极电感L1-L2和电阻R1-R2组成；隔直电容C1的一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的第一频段输入端RFin1，电阻R1的一端接第一偏置电压Vbias1，栅极电感L1的一端连接隔直电容C1和电阻R1的另一端，栅极电感L1的另一端连接放大级的NMOS管N1的栅极；隔直电容C2的一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的第二频段输入端RFin2，电阻R2的一端接第二偏置电压Vbias2，栅极电感L2的一端连接隔直电容C2和电阻R2的另一端，栅极电感L2的另一端连接放大级的NMOS管N2的栅极；放大级由NMOS管N1-N4以及隔直电容C3和隔直电容C4组成；NMOS管N1漏极连接电感L3的一端以及隔直电容C3和隔直电容C4的一端，NMOS管N1源极接地线；NMOS管N3的栅极连接电阻R3的一端和隔直电容C3的另一端，电阻R3的另一端接第一偏置电压Vbias1，NMOS管N3漏极和NMOS管N4漏极连接差分输出级的电感L4的一端，NMOS管N3源极接地线；NMOS管N2漏极连接电感L3的一端以及隔直电容C3和隔直电容C4的一端，NMOS管N2源极接地线；NMOS管N4的栅极连接电阻R4的一端和隔直电容C4的另一端，电阻R4的另一端接第二偏置电压Vbias2，NMOS管N4漏极和NMOS管N3漏极连接差分输出级的电感L4的一端，NMOS管N4源极接地线；差分输出级由NMOS管N5-N6、电感L3-L4、电阻R5-R6和隔直电容C5-C6；NMOS管N5的源极接电感L3的另一端，NMOS管N5的漏极接隔直电容C5和负载级的电阻R7的一端；NMOS管N5的栅极接电阻R5的一端；NMOS管N6的源极接电感L4的另一端，NMOS管N6的漏极接隔直电容C6和负载级的电阻R8的一端；NMOS管N6的栅极接电阻R6的一端；隔直电容C5的另一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的输出端口RFout-，隔直电容C6的另一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的输出端口RFout+；电阻R5的一端接第三偏置电压Vbias3,电阻R6的另一端接第三偏置电压Vbias3；负载级由电阻R7和电阻R8组成；电阻R7的另一端接电源VDD；电阻R8的另一端接电源VDD。

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