恭喜桑迪士克科技股份有限公司L.阿亚纳古达获国家专利权
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龙图腾网恭喜桑迪士克科技股份有限公司申请的专利多功能SD卡获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113822403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110376040.6,技术领域涉及:G06K19/077;该发明授权多功能SD卡是由L.阿亚纳古达;N.拉古帕锡设计研发完成,并于2021-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本多功能SD卡在说明书摘要公布了:一种多存储器SD卡包含具有标准SD卡的外部尺寸的罩壳。连同各自根据SD标准的两组单独的电接触件一起提供两个单独的SiPSD封装,以在单SD卡束中提供两张SD卡的功能和性能。所述SiP封装二者可均为完整大小SD格式,或者其中一个可以是微米或纳米SD卡。第一和第二SiPSD封装具有相同或不同的容量和或速度,且微米或纳米SiP封装为永久的或可移除的。板载电池和或PCB也可容纳于所述罩壳中以用于配置WiFiRAID或备份。
本发明授权多功能SD卡在权利要求书中公布了:1.一种电子电路卡片,其包括:大体上平坦的卡片形罩壳;第一组电子安全数字SD存储器电路,其容纳于所述罩壳内,具有遵循SD卡标准的协议,且包含安置在所述罩壳外部在其第一位置处的具有遵循SD卡标准的接触图案的第一组电接触件;以及第二组电子SD存储器电路,其与所述第一组电子SD存储器电路分离,且包含不同于所述第一组电接触件并安置在所述罩壳外部在其第二位置处的第二组电接触件,并且其中所述第一组电接触件位于所述罩壳的第一端处,并且所述第二组电接触件位于所述罩壳的相对端处;并且其中所述罩壳是根据完整大小SD卡标准,所述第一组电子SD存储器电路是根据完整大小SD卡标准,且所述第二组电子SD存储器电路是根据微米或纳米SD卡标准;其中所述第二组电接触件是根据所述微米或纳米SD标准,且包含开关,所述开关在第一位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到所述第一组电子SD存储器电路,且在第二位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到所述第二组SD存储器电路,并且其中,当所述开关在第二位置中操作时,所述第一组电接触件和所述第二组电接触件耦合。
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