恭喜富士电机株式会社竹迫良纪获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体芯片的试验装置及试验方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114089150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110575844.9，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权半导体芯片的试验装置及试验方法是由竹迫良纪设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体芯片的试验装置及试验方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体芯片的试验装置及试验方法，使半导体芯片的损坏发生时的接触探针以及测定台的维护为所需的最小限度。如果将被测定器件导通，则其漏极源极间电压Vds降低，漏极电流Id升高。接下来，如果关断被测定器件，则其漏极源极间电压Vds急剧增大，漏极电流Id降低。如果在漏极电流Id降低期间，漏极电流Id存在急剧变化，则被测定器件被判断为损坏。算出施加到该损坏的被测定器件的能量。仅在施加能量超过设定值时，将试验装置停止并指示更换接触探针或测定台、或者更换它们二者。由此，抑制维护成本。
本发明授权半导体芯片的试验装置及试验方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的试验装置，其特征在于，在用于对功率器件的半导体芯片可能引起芯片损坏的筛选试验的试验装置中，具备：损坏判定部，其判定是否因所述筛选试验而在所述半导体芯片产生所述芯片损坏；能量算出部，其接收由所述损坏判定部判定为所述芯片损坏的信息而算出施加到所述半导体芯片的施加能量；判定部，其判定由所述能量算出部算出的所述施加能量的值是否在设定值以上；以及校正值算出部，其根据组装了所述半导体芯片的完成品的雪崩耐量试验中的所述完成品的热阻、和在所述试验装置中对所述半导体芯片以所述完成品的雪崩耐量试验中的雪崩能量进行试验时的测定系统中的热阻，算出校正为与所述完成品的雪崩能量相当的、所述测定系统中的雪崩能量的校正值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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