恭喜华南师范大学侯志鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南师范大学申请的专利拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110594624.0，技术领域涉及：G11C19/08；该发明授权拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器是由侯志鹏;卫智健;王亚栋设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器、读写系统和赛道存储器，一种拓扑磁结构包括：衬底层；缓冲层，设置于衬底层上，缓冲层的表面粗糙度小于衬底层的表面粗糙度；磁性层，设置于缓冲层上，包括至少一层亚铁磁性层，磁性层用于在预设条件下产生磁性斯格明子；保护层，设置于磁性层上，用于保护磁性层。基于亚铁磁材料的器件具有对磁场扰动不敏感和本征频率高等诸多优势，因此在超高密度信息存储和太赫兹TeraHertz，THz等领域有广阔的应用前景。
本发明授权拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种拓扑磁结构，其特征在于，包括：衬底层；缓冲层，设置于所述衬底层上，所述缓冲层的表面粗糙度小于所述衬底层的表面粗糙度；磁性层，设置于所述缓冲层上，包括至少一层亚铁磁性层，所述磁性层用于在预设条件下产生磁性斯格明子；所述亚铁磁性层包括层叠设置的铂、钴和钆；所述铂和所述钴之间的界面的磁矩与所述钴和所述钆之间的界面磁矩方向相反；保护层，设置于所述磁性层上，用于保护所述磁性层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学，其通讯地址为：511400 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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