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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110606219.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由许增升;荆学珍;张浩;段超;成国良设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：对所述覆盖层表面进行改性处理，形成改性层；形成第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第二介质层、第二刻蚀停止层、所述第一介质层和所述第一刻蚀停止层内，且所述第一开口暴露出所述改性层，所述第二开口位于所述第二介质层和第二刻蚀停止层内，且所述第二开口暴露出所述导电结构顶部表面，使所述第一导电层的材料在所述改性层表面的生长速率高于所述第一导电层的材料在所述覆盖层表面的生长速率，从而减少改性层上的第一开口在被所述第一导电层的材料填满之前提前封闭的情况，从而提高所形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的栅极结构和位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层还位于所述栅极结构侧壁，且暴露出所述栅极结构顶部表面；位于所述栅极结构顶部表面的覆盖层，所述覆盖层的材料包括金属；位于所述覆盖层表面的改性层；位于所述衬底和所述改性层表面的第一刻蚀停止层；位于所述第一刻蚀停止层表面的第一介质层；位于所述第一介质层、所述第一刻蚀停止层和所述层间介质层内的导电结构，所述导电结构顶部表面与所述第一介质层顶部表面齐平；位于所述第一介质层和所述导电结构表面的第二刻蚀停止层；位于所述第二刻蚀停止层上的第二介质层；位于所述第二介质层、第二刻蚀停止层、所述第一介质层和所述第一刻蚀停止层内的第一开口，且所述第一开口暴露出所述改性层，位于所述第二介质层和第二刻蚀停止层内的第二开口，且所述第二开口暴露出所述导电结构顶部表面；位于所述第一开口内的第一导电层，位于所述第二开口内的第二导电层，且所述第一导电层、所述第二导电层的顶部表面与所述第二介质层顶部表面齐平，所述第一导电层的材料在所述改性层表面的生长速率高于所述第一导电层的材料在所述覆盖层表面的生长速率。

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