恭喜格芯新加坡私人有限公司谢君毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯新加坡私人有限公司申请的专利存储器器件以及形成存储器器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110619000.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权存储器器件以及形成存储器器件的方法是由谢君毅;徐薇惠;蒋懿;康锴;易万兵;陈元文设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件以及形成存储器器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器器件以及形成存储器器件的方法。可以提供一种存储器器件，其包括：基底层；被布置在基底层之上的绝缘层，其中，绝缘层可以包括具有相对的侧壁的凹部；沿着凹部的相对的侧壁布置的第一电极；沿着第一电极布置的开关元件；沿着开关元件布置的第二电极；以及被布置在凹部之上的覆盖层，其中覆盖层可以至少部分地与第一电极、开关元件和第二电极重叠。
本发明授权存储器器件以及形成存储器器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括：基底层；被布置在所述基底层之上的绝缘层，其中，所述绝缘层包括具有相对的侧壁的凹部；沿着所述凹部的所述相对的侧壁布置的第一电极；沿着所述第一电极布置的切换元件；沿着所述切换元件布置的第二电极；以及被布置在所述凹部之上的覆盖层，其中所述覆盖层至少部分地与所述第一电极、所述切换元件和所述第二电极重叠，其中，所述覆盖层包括氧化物层，所述氧化物层包括所述第一电极、所述切换元件和所述第二电极的材料的氧化部分。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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