恭喜迈来芯电子科技有限公司Y·比多获国家专利权
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龙图腾网恭喜迈来芯电子科技有限公司申请的专利磁传感器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114442011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111263588.6，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权磁传感器设备是由Y·比多;L·通贝兹设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器设备在说明书摘要公布了：本申请公开了磁传感器设备。一种集成传感器设备920；970；1070，包括：半导体衬底，包括水平霍尔元件Hc和大致位于该水平霍尔元件Hc上方的集成磁通量集中器911；1011，其中，第一磁通量集中器具有几何中心与水平霍尔元件的几何中心对齐的形状；并且其中该形状具有高度H和横向尺寸D，其中H≥30μm和或其中HD≥25％。集成磁通量集中器可部分并入“互连堆叠”1223；1323中。一种生产这种集成传感器设备的方法。
本发明授权磁传感器设备在权利要求书中公布了：1.一种集成传感器设备，包括：半导体衬底，包括第一水平霍尔元件；第一集成磁通量集中器，位于所述第一水平霍尔元件上方；其中，所述第一集成磁通量集中器具有几何中心在垂直于所述半导体衬底的方向上与所述第一水平霍尔元件的几何中心竖直地对齐的形状；其中，所述形状在垂直于所述半导体衬底的方向上具有高度，并且在平行于所述半导体衬底的方向上具有最大横向尺寸；其中，所述第一集成磁通量集中器的所述高度在从30μm到500μm的范围内，和或其中，所述第一集成磁通量集中器的所述高度与所述最大横向尺寸的比率为至少25％，并且其中，所述集成传感器设备是半导体管芯或芯片封装。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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