恭喜广东晶科电子股份有限公司黄凯航获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东晶科电子股份有限公司申请的专利一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111683437.6，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构是由黄凯航;姚述光;全美君;姜志荣;肖国伟设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构，所述封装结构制作方法包括如下步骤：S1、在LED基板上表面预制若干独立的金属区；S2、将电极极性相反的垂直晶片固定在所述金属区上表面；S3、用金线连接相邻所述金属区上的所述垂直晶片；S4、在所述垂直晶片四周铺设第一封装层；S5、在所述垂直晶片、所述金线及所述第一封装层上方铺设第二封装层。本发明能够实现垂直晶片的串联，达到“高电压”的目的，规避晶片与基板之间的金线连接，避免污染晶片，实现高密度高亮度的效果。
本发明授权一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直晶片的封装结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在LED基板上表面预制若干独立的金属区；S2、将电极极性相反的垂直晶片固定在所述金属区上表面；S3、用金线连接相邻所述金属区上的所述垂直晶片，所述金线位于所述垂直晶片上方，不与所述LED基板直接接触；S4、在所述垂直晶片四周铺设第一封装层，所述第一封装层不直接与所述金线接触；S5、在所述垂直晶片、所述金线及所述第一封装层上方铺设第二封装层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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