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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210270004.6，技术领域涉及：H01J21/10；该发明授权一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用是由罗芳;崔子孺;朱梦剑;张检发;朱志宏;秦石乔设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于悬空石墨烯氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用，该制备方法包括制备金属电极、刻蚀沟道以及转移六方氮化硼‑石墨烯复合结构三个步骤，直接利用硅基底作为集电极，极大的简化了制备工艺。本发明中设计的真空晶体管器件结构极具创新性，充分利用氮化硼与石墨烯之间的结合力，将石墨烯氮化硼异质结整体悬浮在沟道上方，有效降低了石墨烯断裂、塌陷、卷曲和褶皱的概率，克服了传统制备悬空石墨烯器件成功率极低的困难，极大提高了悬空石墨烯器件制备的成功率，且制备得到的真空晶体管结构稳定性更强。使用新的转移方法，避免了石墨烯与其它溶液等介质的接触，有效地解决了现有掺杂的问题。

本发明授权一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种基于悬空石墨烯氮化硼异质结的真空晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：利用电子束曝光和电子束热蒸发在二氧化硅硅片上制备得到金属电极和对准标记；步骤S1具体为：S11：在硅片表面旋涂电子束光刻胶，烘干；S12：设计电极图形，根据所述电极图形得到曝光区域，洗去所述曝光区域的电子束光刻胶，利用电子束曝光机对所述曝光区域进行曝光以在曝光区域刻画出电极和标记图形，曝光完成后显影1min，定影30s；S13：在含电极和标记图形的曝光区域依次蒸镀铬层和金层；S14：利用丙酮溶液溶解硅片上的电子束光刻胶，之后用异丙醇洗去丙酮溶液，得到沟道区域两侧的金属电极和对准标记；S2：利用电感耦合等离子体刻蚀机对金属电极之间区域的二氧化硅进行完全刻蚀，得到刻蚀沟道；S3：利用六方氮化硼吸附石墨烯，使用二维材料转移平台将石墨烯氮化硼异质结整体悬浮在沟道上方，得到基于悬空石墨烯氮化硼异质结的真空晶体管；步骤S3具体为：S31：在玻片上滴一滴聚二甲基硅氧烷，烘干；S32：在另一玻片上滴一滴聚碳酸酯溶液，再将一块干净玻片覆盖在滴有聚碳酸酯溶液的玻片上使聚碳酸酯溶液扩散至所有重叠部分，然后将两玻片朝相切方向分开，获得两片聚碳酸酯薄膜；S33：取胶带，在所述胶带上打孔，利用带孔胶带将一片聚碳酸酯薄膜粘到步骤S31的电子束光刻胶上，得到复合薄膜；S34：在70~100℃条件下，使用二维材料转移平台，利用所述复合薄膜吸附六方氮化硼，再利用六方氮化硼吸附石墨烯，得到石墨烯氮化硼异质结；S35：将所述石墨烯氮化硼异质结整体悬浮到沟道上方，加热至160~200℃，洗去聚碳酸酯，得到基于悬空石墨烯氮化硼异质结的真空晶体管。

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