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龙图腾网恭喜上海科技大学申请的专利一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210309182.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法是由陈佰乐;王景熠设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法。本发明采用AlAsSb和InAlAs或者InP做电子阻挡层和过渡层可以将光电探测器的测试波长延伸至可见光和紫外波段，采用InGaAs体材料和InGaAsGaAsSb二类超晶格材料作为半导体光电探测器的吸收层，可将光电探测器的测试波长延伸至近红外和延长短波红外波段。当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于延长短波红外波长的光子对应的能量时，就能吸收延长短波红外波长的光，从而实现对延长短波红外波段的覆盖。该光电探测器采用晶格匹配于InP衬底的InGaAsGaAsSb二类超晶格作为吸收区，相对于高铟成分晶格失配InGaAs延长短波红外探测器，具有更低暗电流，单片集成的优势。

本发明授权一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InP基超宽光谱光电探测器，该InP基超宽光谱光电探测器的光谱响应从紫外到延长短波红外波段，其特征在于，所述InP基超宽光谱光电探测器至少包括：依次层叠的InP衬底层、阴极接触层、多个周期性重复的InGaAsGaAsSb超晶格吸收层、InGaAs吸收层、InAlAs过渡层、电子阻挡层以及阳极接触层，其中：所述InGaAsGaAsSb超晶格吸收层和InGaAs吸收层用于吸收光子，以在其内部激发电子-空穴对；所述电子阻挡层用于阻挡电子向阳极方向扩散；InP或者InAlAs过渡层用于在电子阻挡层和InGaAs吸收层之间进行价带过渡；电子阻挡层采用的半导体材料为AlAsSb；采用AlAsSb和InAlAs做电子阻挡层和过渡层可以将光电探测器的测试波长延伸至可见光和紫外波段；所述电子阻挡层的厚度为20nm；所述InAlAs或InP过渡层的厚度为20nm；阴极，形成于所述阴极接触层上，且所述阴极与所述阴极接触层之间形成欧姆接触；所述阳极，形成于所述阳极接触层上，且所述阳极与所述阳极接触层之间形成欧姆接触；在阳极接触层，通过去除部分材料的方式形成凹槽窗口去，以进一步增强紫外波段和可见波段响应。

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