买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京邮电大学申请的专利透射阵面、辐射单元、透射阵天线和蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115189140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210356796.9，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权透射阵面、辐射单元、透射阵天线和蚀刻方法是由李秀萍;邱靓婕;郭晓斌;齐紫航设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本透射阵面、辐射单元、透射阵天线和蚀刻方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种透射阵面、辐射单元、透射阵天线和蚀刻方法，包括：紧密排列的至少一百个辐射单元；辐射单元包括：第一介质基板和第二介质基板；第一介质基板和第二介质基板的正投影重叠；第一介质基板的第一端面蚀刻有交叉型金属层；第一介质基板与第一端面相对的第二端面或第二介质基板第三端面蚀刻有正方形内嵌十字形金属层；第二介质基板与第三端面相对的第四端面蚀刻有矩形金属层；矩形金属层设置有四个内倒角；透射阵面被配置为按照相位补偿算法确定交叉型金属层、正方形内嵌十字形金属层及矩形金属层的蚀刻位置。本申请提供的透射阵天线带宽大、剖面低，在宽频带范围内保持高透射率，将入射波转换为携带有轨道角动量的涡旋波束。

本发明授权透射阵面、辐射单元、透射阵天线和蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种透射阵面，其特征在于，包括：紧密排列的至少一百个辐射单元；所述辐射单元包括：第一介质基板和第二介质基板；所述第一介质基板和所述第二介质基板的正投影重叠；所述第一介质基板的第一端面蚀刻有交叉型金属层；所述第一介质基板与第一端面相对的第二端面或所述第二介质基板第三端面蚀刻有正方形内嵌十字形金属层；所述第二介质基板与第三端面相对的第四端面蚀刻有矩形金属层；所述矩形金属层设置有四个内倒角；所述透射阵面被配置为按照相位补偿算法确定所述交叉型金属层、所述正方形内嵌十字形金属层及所述矩形金属层的蚀刻位置；所述辐射单元还包括：第三介质基板和第四介质基板；所述第三介质基板和所述第四介质基板的正投影，与所述第一介质基板和所述第二介质基板的正投影相互重叠；所述第三介质基板的第五端面蚀刻有所述矩形金属层；所述第三介质基板与所述第五端面相对的第六端面或所述第四介质基板的第七端面蚀刻有所述正方形内嵌十字形金属层；所述第四介质基板与所述第七端面相对的第八端面蚀刻有所述交叉型金属层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京邮电大学，其通讯地址为：100876 北京市海淀区西土城路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。