买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210392797.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质是由杨鑫;徐思维设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质。IGBT芯片包括元胞，元胞由两个第一结构拼接而成；第一结构包括N型衬底、第一栅极和第二栅极；N型衬底上表面开设凹槽，第一栅极为设置在N型衬底上的第一栅极510，第二栅极的至少部分伸入凹槽，第二栅极与第一栅极在N型衬底上表面的投影之间的间距为d，d的取值范围为100埃米~200埃米；第一栅极下方设置有第一有源区，凹槽的远离第一栅极一侧设置有第二有源区；第一有源区、第二有源区均设置于N型衬底上；各个元胞的第一有源区中的第一金属层、第二有源区中的第二金属层相互接触从而形成IGBT芯片的发射极；各个元胞的N型衬底相互接触从而形成一体结构。

本发明授权一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种IGBT芯片，包括元胞，所述元胞由对称设置的两个第一结构拼接而成；所述第一结构包括N型衬底（503）、第一栅极（510）、第二栅极（508）；所述第一栅极（510）和第二栅极（508）通过氧化层（509）隔开；所述N型衬底（503）上表面开设有沿着N型衬底（503）高度方向向下伸入N型衬底（503）的凹槽（1），所述第一栅极（510）为设置在N型衬底（503）上的第一栅极（510），所述第二栅极（508）的至少部分伸入所述凹槽（1），所述第一栅极和第二栅极之间的氧化层厚度d不小于100埃米；所述第一栅极（510）下方设置有第一有源区，所述凹槽（1）的远离第一栅极（510）一侧设置有第二有源区；所述第一有源区、第二有源区均设置于N型衬底（503）上；各个元胞的第一有源区中的第一金属层（5061）、第二有源区中的第二金属层（5062）相互接触从而形成IGBT芯片的发射极；各个元胞的N型衬底（503）相互接触从而形成一体结构；所述第一有源区包括相邻设置的第一N+掺杂区（5071）、第一金属层（5061）；所述第一金属层（5061）位于第一N+掺杂区（5071）的远离第二栅极（508）一侧；所述第一有源区还包括形成在N型衬底（503）中的第一N阱区（5041）、位于第一N阱区（5041）上的第一P阱区（5051）、位于第一P阱区（5051）上的第一N+掺杂区（5071）和第一金属层（5061），第一P阱区（5051）绕设在第一N+掺杂区（5071）和第一金属层（5061）外侧，第一N阱区（5041）绕设在第一P阱区（5051）外侧；所述第一N+掺杂区（5071）的上端面、第一P阱区（5051）的上端面、第一N阱区（5041）的上端面均朝向第一栅极（510）设置；所述第二有源区包括在N型衬底（503）高度方向由上到下依次设置的第二N+掺杂区（5072）、第二P阱区（5052）、第二N阱区（5042），还包括与第二N+掺杂区（5072）相邻设置且位于第二P阱区（5052）上的第二金属层（5062）；所述第二金属层（5062）位于第二N+掺杂区（5072）的远离第一栅极（510）一侧；所述第二N+掺杂区（5072）的壁面、第二P阱区（5052）的壁面、第二N阱区（5042）的壁面至少形成所述凹槽（1）的远离第一栅极（510）的壁面的部分或全部；在一个元胞中，其中一个第一结构的第二有源区的第二金属层（5062）、第二P阱区（5052）、第二N阱区（5042）与另一个第一结构的第二有源区的第二金属层（5062）、第二P阱区（5052）、第二N阱区（5042）分别对应接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学，其通讯地址为：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。