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龙图腾网恭喜上海精密计量测试研究所申请的专利定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114894838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210477014.7，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法是由陈凡;刘大鹏;赵容;李娟;陈龙;刘建设设计研发完成，并于2022-05-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法在说明书摘要公布了：本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。

本发明授权定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法在权利要求书中公布了：1.定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法，其特征在于，包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围；所述采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系包括：采用瞬态热阻法测定标定样品K系数；在瞬态热阻测试中监测标定样品PN结电压降，通过数学变换得到标定样品的积分函数曲线，提取热阻参数；叠加各标定样品的积分函数曲线，确定特定焊料层孔隙率标定样品的焊料热阻和总热阻，获得焊料层孔隙位置与热阻参数的关系；所述根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围包括：设NMOS晶体管热阻标准判据中最大焊料热阻为h，最大总热阻为z；设第i个标定样品焊料层孔隙与芯片焊盘区域中心点的间距为ri，焊料热阻为hi，总热阻zi，i＝1,2,┄,N，N为标定样品数量，且r1＜r2＜┄＜rN；将各标定样品的焊料热阻hi和总热阻zi分别与h和z比对，若满足条件h≥h1，z≥z1，则焊料层孔隙与芯片焊盘区域中心点的间距≥r1的区域为焊料层孔隙的安全分布范围；若满足条件hi-1≥h≥hi，zi-1≥z≥zi，i≠1，则焊料层孔隙与芯片焊盘区域中心点的间距≥ri的区域为焊料层孔隙的安全分布范围；若满足条件hN≥h，zN≥z，则芯片焊盘区域任何位置都不能存在焊料层孔隙。

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