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龙图腾网恭喜武汉理工大学申请的专利基于双金属复合周期结构的超表面折射率传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114965361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210518000.5，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权基于双金属复合周期结构的超表面折射率传感器及其制作方法是由杜庆国;田哲宇;梁坤林;娄平;罗雨阳;黄荆溪设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双金属复合周期结构的超表面折射率传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳光学器件技术领域，具体涉及一种基于双金属复合周期结构的超表面折射率传感器及其制作方法。包括基底和呈周期性阵列分布于基底表面的双金属复合周期结构，双金属复合周期结构包括纳米孔膜和纳米柱，纳米孔膜内设有上下贯穿且阵列分布的圆孔，纳米柱为圆柱状结构且嵌套设置于圆孔内部，纳米柱与圆孔之间形成待测物质填充空间，纳米孔膜和纳米柱由不同的金属材料构成，纳米孔膜和纳米柱用于独立激发出不同模式的表面等离激元并与入射光相互耦合产生法诺共振。通过双金属复合周期结构激发出不同模式的表面等离激元，从而与入射光相互耦合，实现折射率传感器灵敏度和品质因数的提高。

本发明授权基于双金属复合周期结构的超表面折射率传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双金属复合周期结构的超表面折射率传感器，其特征在于：包括基底1和呈周期性阵列分布于基底1表面的双金属复合周期结构2，所述双金属复合周期结构2包括纳米孔膜201和纳米柱202，所述纳米孔膜201设置于基底1表面且其内设有上下贯穿且阵列分布的圆孔203，所述纳米柱202为圆柱状结构且嵌套设置于所述圆孔203内部，所述纳米柱202与所述圆孔203之间形成待测物质填充空间204，所述纳米孔膜201和纳米柱202由不同的金属材料构成，所述纳米孔膜201和纳米柱202用于独立激发出不同模式的表面等离激元并与入射光相互耦合产生法诺共振；所述纳米孔膜201为金纳米孔膜，所述纳米柱202为银纳米柱；所述圆孔203与纳米柱202形成的孔柱复合体呈密排六方阵列分布；所述纳米孔膜201和所述纳米柱202独立激发出不同模式的表面等离激元并与入射光相互耦合产生Fano共振。

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