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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利工作在Ku波段的低成本高性能5-bit可编程相控阵天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210776371.3，技术领域涉及：H01Q3/34；该发明授权工作在Ku波段的低成本高性能5-bit可编程相控阵天线是由程强;李欣;崔铁军设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本工作在Ku波段的低成本高性能5-bit可编程相控阵天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种工作在Ku波段的低成本高性能5‑bit可编程相控阵天线，该可编程相控阵天线由三部分构成，包括具有1‑bit180度相位量化的可重构辐射单元，具有4‑bit168.75度相位量化的数字移相器以及馈电网络，射频信号从相控阵天线端口进入天线中，通过外置的分压控制电路调节可编程相控阵天线中加载的PIN二极管及变容二极管的状态，产生对应的编码，从而实现0°‑60°的高精度波束扫描。该可编程相控阵天线与传统相控阵相比无需大量电子移相器或TR组件，因此其结构简单、成本低廉、平面化、易于其他器件集成、损耗小，在微波领域具有很高的应用价值。

本发明授权工作在Ku波段的低成本高性能5-bit可编程相控阵天线在权利要求书中公布了：1.一种工作在Ku波段的低成本高性能5-bit可编程相控阵天线，其特征在于，所述相控阵天线由三部分构成，包括可重构辐射单元（a）、具有4-bit168.75度相位量化的数字移相器（b）以及馈电网络（c）；它们分别位于天线的上、中、下部形成层状结构；所述相控阵天线总共包括两层介质基板和三层金属层结构，即从上至下顺序为上层金属层（1）、上层介质基板（2）、中间金属层（3）、黏合层（4）、下层介质基板（5）、下层金属层（6）；上层金属层为5-bit可编程相控阵天线的辐射结构，中间金属层为金属地以防止电磁波泄露到天线背面，下层金属层为5-bit可编程相控阵天线的馈电结构；两层介质基板与三层金属层之间通过黏合层相连；所述可重构辐射单元（a）包括辐射贴片（a1）、可选择的馈电结构（a2）和偏置电路（a3）三部分，利用天线结构的对称性形成180度稳定的相位差；所述的辐射贴片（a1）上在电场方向分布了两个长方形的槽（a1.1），开槽后的辐射贴片具有更宽的阻抗带宽和更低的交叉极化；可选择的馈电结构（a2）形状为“Y”形结构，其末端对称地放置了两个型号为MADP-14020-907的第一PIN二极管（P1）和第二PIN二极管（P2），通过调整两个PIN二极管的开关状态，选择电磁波在可选择的馈电结构上的电流路径；偏置电路（a3）分别用于隔离交流信号和隔离直流信号，隔离交流信号的偏置电路由第一偏置线（L1）、第二偏置线（L2）和第一接地电容（C1）、第二接地电容（C2）构成，隔离直流信号的电路由串联在信号输入端的第三电容（C3）构成；所述4-bit168.75度相位量化的数字移相器（b）包括一个3-dB阻抗转换分支线耦合器（b1）、两个反射负载（b2）和直流偏置线（b3）；所述分支线耦合器（b1）使用弯曲的微带线，使其面积减小；两个反射负载（b2）连接在分支线耦合器（b1）的终端，由两个变容二极管、即第一变容二极管（B1）、第二变容二极管（B2）和两端传输线组成；变容二极管需要外部直流偏置电压来改变电容值从而产生相移；直流偏置线（b3）由接地电容（C4）连接一段四分之一波长的高阻抗线组成，具有隔离交流信号的作用，两个隔直电容即第一隔直电容（C5）和第二隔直电容（C6）串联在4-bit168.75度相位量化的数字移相器（b）的输入输出端，起到隔离直流信号的作用；所述的馈电网络（c）为基于共面波导结构的1:24馈电结构，并且其功分比采用了泰勒分布；所述的PIN二极管及变容二极管，通过外置的分压电路改变PIN二极管及变容二极管状态，产生对应的编码，实现0°-60°波束扫描；其中，在辐射的中心频点14.8GHz，相控阵天线在所有扫描角度下扫描误差小于1度，增益滚降小于2.4dB，副瓣电平低于-1dB,交叉极化比低于-26dB。

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