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龙图腾网恭喜青岛中科华联新材料股份有限公司申请的专利一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117343429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311270985.5，技术领域涉及：C08L23/12；该发明授权一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法是由郅立鹏;马燕鹏;姜玉珍;胡一波;李光超;任杰;赵伟焱设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法，属于锂离子电池技术领域。该隔膜薄膜厚度为2‑5μm，无渗透孔，质量电阻率≤0.17Ω*gm2，抗拉强度≥100Mpa，常温延伸率≥2.5％，高温延伸率≥5％，光面粗糙度RA≤0.4μm，光面粗糙度RZ≤1μm，毛面粗糙度RA≤0.7μm，毛面粗糙度RZ≤1.5μm。其制备方法为：将聚合物和助剂共混形成共混物，挤出成型并拉伸成膜，随后通过硫酸铜溶液进行电镀，使铜在所述膜上进一步生长，即得，优选共混物中加入导电物质。采用本发明的方法降低了制备铜箔工艺的繁琐程度和成本，所制得的铜箔更加轻薄，降低电池能量密度的同时，给铜箔赋予了聚合物的抗冲击性。

本发明授权一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜，其特征在于，所述薄膜厚度为2-5µm，无渗透孔，质量电阻率≤0.17Ω·gm2，抗拉强度≥100MPa，常温延伸率≥2.5%，高温延伸率≥5%，光面粗糙度RA≤0.4μm，光面粗糙度RZ≤1μm，毛面粗糙度RA≤0.7μm，毛面粗糙度RZ≤1.5μm；所述导电聚合物薄膜的制备方法包括：将聚合物和助剂共混形成共混物，通过单层或多层模头挤出成型并拉伸成膜，随后通过硫酸铜溶液进行电镀，使铜在所述膜上进一步生长，即得；其中，在所述共混物中还加入导电物质，所述导电物质的添加量占所述聚合物质量的20%-50%；所述挤出成型为干法工艺时，所述聚合物包括聚丙烯、聚乙烯或聚4-甲基1-戊烯中的一种或多种的混合物；所述挤出成型为湿法工艺时，所述聚合物包括聚丙烯、聚乙烯、聚乙烯丙烯共聚物或聚4-甲基1-戊烯中的一种或多种的混合物；所述助剂包括成核剂、抗氧剂或极性偶联剂中的一种或多种。

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