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摘要：本发明公开了一种具备高功率耐受性的SAW半导体结构及其制备工艺，SAW半导体结构包括：设置于衬底上的多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的温补层、设置于所述温补层上的压电层以及形成于所述压电层上的叉指电极，所述叉指电极上设置有电极引线PAD，所述电极引线PAD贯穿所述叉指电极、压电层以及温补层后与所述多晶硅层相连。其通过将电极引线PAD与具有高热导系数的多晶硅层或衬底直接接触，形成高效率热传通路，提升了器件功率耐受性。
主权项：1.具备高功率耐受性的SAW半导体结构，其特征在于，包括：设置于衬底上的多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的温补层、设置于所述温补层上的压电层以及形成于所述压电层上的叉指电极，所述叉指电极上设置有电极引线PAD，所述电极引线PAD贯穿所述叉指电极、压电层以及温补层后与所述多晶硅层相连。
权利要求：
百度查询： 左蓝微(江苏)电子技术有限公司 具备高功率耐受性的SAW半导体结构及其制备工艺
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