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摘要：本发明公开了一种基于氧化镓的紫外光电阴极及其制备方法。所述紫外光电阴极由下而上依次设置为Ag反射层、衬底层、p型氧化镓层、激活层；Ag反射层用于反射未被吸收的光回到p型氧化镓层中；衬底层为c面蓝宝石衬底，用于沉积氧化镓薄膜；p型氧化镓层为Cu‑N共掺杂的氧化镓薄膜，用作光电阴极的发射层；激活层为Cs吸附层，吸附于p型氧化镓层的上表面，用于降低电子亲和势，提高光电阴极的电子发射效率。本发明通过Cu‑N共掺杂提高了氧化镓薄膜的空穴载流子浓度，达到6.2×1015～1.1×1018cm‑3，提升了空穴霍尔迁移率，达到12.5～41.7cm2Vs，提高了光电阴极的量子效率，最高可达到52％。
主权项：1.一种基于氧化镓的紫外光电阴极，其特征在于，所述紫外光电阴极由下而上依次设置为Ag反射层、衬底层、p型氧化镓层、激活层；所述Ag反射层用于反射未被吸收的光回到p型氧化镓层中；所述衬底层为c面蓝宝石衬底，用于沉积氧化镓薄膜；所述p型氧化镓层为Cu-N共掺杂的氧化镓薄膜，用作光电阴极的发射层；所述激活层为Cs吸附层，吸附于p型氧化镓层的上表面，用于降低电子亲和势，提高光电阴极的电子发射效率。
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百度查询： 江苏师范大学 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种基于氧化镓的紫外光电阴极及其制备方法
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