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摘要:本发明涉及应用于半导体微纳制造技术领域的一种用于半导体集成电路加工的蚀刻装置,采用多层微喷射阵列布局,包括预处理层、主蚀刻层和后处理层,每层由多个喷头单元组成,喷头单元包括球形室、弹性薄片、压电堆栈和喷头,通过控制压电堆栈的伸缩,可精确调整喷头的角度和位置,实现纳米级精度的三维复杂结构蚀刻,气浮环结构引入压缩气体形成气膜,提高球形室的转动灵活性和稳定性,永磁环和霍尔传感器实现喷头角度和位置的实时监测,通过软件算法优化不同层之间的协调,采用同步或交错喷射模式,可形成复杂三维结构,该发明提升了蚀刻精度和效率。
主权项:1.一种用于半导体集成电路加工的蚀刻装置,其特征在于:包括控制器和依次设置的预处理层(1)、主蚀刻层(2)和后处理层(3),所述预处理层(1)、主蚀刻层(2)和后处理层(3)顶端均固定连接有进液主管(4),所述预处理层(1)和后处理层(3)远离主蚀刻层(2)一端均固定连接有多个堵头(5),所述预处理层(1)、主蚀刻层(2)和后处理层(3)均包括多个依次排列的喷头单元(6),多个所述喷头单元(6)均包括底板(7),所述底板(7)顶端固定连接有顶板(8),所述底板(7)和顶板(8)之间滑动连接有球形室(9),所述球形室(9)内壁固定连接有弹性薄片(10),所述弹性薄片(10)顶端固定连接有第一压电堆栈(11)、第二压电堆栈(12)和第三压电堆栈(13),所述第一压电堆栈(11)、第二压电堆栈(12)和第三压电堆栈(13)顶端固定连接有压电堆栈固定板(14),所述弹性薄片(10)和压电堆栈固定板(14)之间固定连接有进液支管(15),所述第一压电堆栈(11)、第二压电堆栈(12)和第三压电堆栈(13)均与控制器电连接,所述进液主管(4)和球形室(9)内均填充有化学试剂或等离子体。
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