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摘要：本发明提供一种结合HK集电极栅的SJ‑LIGBT器件结构，涉及半导体技术领域。包括：P型衬底区、发射极结构、栅极结构、漂移区结构和集电极结构，集电极结构包括第一集电极、第一N‑bufferlayer区、第二N‑bufferlayer区、第三N‑bufferlayer区和HK介质区。设置多层N‑buffer结构即第一N‑bufferlayer区、第二N‑bufferlayer区和第三N‑bufferlayer区，辅助P型衬底区耗尽，HK集电极栅优化纵向电场，提高SJ‑LIGBT器件击穿电压；多层N‑buffer结构结合HK介质区，在SJ‑LIGBT器件关闭时，加快关断速度，降低关断损耗。

主权项：1.一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构，其特征在于，所述结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构，包括P型衬底区、发射极结构、栅极结构、漂移区结构和集电极结构；所述发射极结构，形成于所述P型衬底区的上表面的一侧；所述栅极结构，形成于所述发射极结构的上表面的另一侧，且部分集电极结构被所述发射极结构包裹；所述漂移区结构，形成于所述P型衬底区的上表面的中间区域，且所述漂移区结构与所述发射极结构相邻；所述集电极结构，形成于所述P型衬底区的上表面的另一侧，并从所述P型衬底区的上表面延伸至所述P型衬底区内，且所述集电极结构包裹部分漂移区结构；所述集电极结构包括第一集电极、第一N-bufferlayer区、第二N-bufferlayer区、第三N-bufferlayer区和HK介质区；所述第一N-bufferlayer区形成于所述P型衬底区内的另一侧，与所述漂移区结构相邻，且所述第一N-bufferlayer区的上表面与所述P型衬底区的上表面位于同一平面，所述第二N-bufferlayer区形成于所述第一N-bufferlayer区的下表面，所述第三N-bufferlayer区形成于所述第二N-bufferlayer区的下表面，所述第一集电极形成于所述第一N-bufferlayer区的上表面，且与所述漂移区结构相邻，所述HK介质区从所述第一集电极的上表面延伸贯穿所述第一集电极、所述第一N-bufferlayer区、所述第二N-bufferlayer区和所述第三N-bufferlayer区，且所述HK介质区的底部位于所述述P型衬底区内。

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百度查询： 西安电子科技大学 一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构