买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
摘要:本发明涉及一种具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片。该具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层,所述下波导层为光束质量增强下波导层;所述光束质量增强下波导层的峰值速率电场的谷值位置往下限制层方向的上升角度为α,所述光束质量增强下波导层的峰值速率电场的峰值位置往有源层方向的下降角度为β,其中:30°≤α≤β≤90°;该具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片,通过设计光束质量增强下波导层的峰值速率电场和共价键能变化角度及其分布,调控下波导层的载流子分布,使远场图像更接近高斯分布,提升光斑质量和聚束效果。
主权项:1.一种具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层,其特征在于,所述下波导层为光束质量增强下波导层;所述光束质量增强下波导层的峰值速率电场的谷值位置往下限制层方向的上升角度为α,所述光束质量增强下波导层的峰值速率电场的峰值位置往有源层方向的下降角度为β,其中:30°≤α≤β≤90°;所述光束质量增强下波导层的共价键能的谷值位置往下限制层方向的上升角度为γ,所述光束质量增强下波导层的共价键能的峰值位置往有源层方向的下降角度为θ,其中:25°≤γ≤θ≤90°;所述光束质量增强下波导层的纵向声速的谷值位置往下限制层方向的上升角度为δ,所述光束质量增强下波导层的纵向声速的峰值位置往有源层方向的下降角度为σ,其中:10°≤δ≤σ≤90°;所述光束质量增强下波导层的价带有效态密度的峰值位置往下限制层方向的下降角度为φ,所述光束质量增强下波导层的价带有效态密度的谷值位置往有源层方向的上升角度为ψ,其中:20°≤φ≤ψ≤90°。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 安徽格恩半导体有限公司 一种具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。