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摘要：提供一种形成堆叠晶体管的方法。一种代表性方法可包括对第一虚设纳米结构、第二虚设纳米结构和半导体纳米结构进行图案化。半导体纳米结构可设置于第一虚设纳米结构与第二虚设纳米结构之间。第一虚设纳米结构可包含第一半导体材料而第二虚设纳米结构可包含超晶格结构。代表性方法亦可包括进行蚀刻工艺，蚀刻工艺使第一虚设纳米结构凹陷以形成侧壁凹槽且同时移除第二虚设纳米结构以形成开口。蚀刻工艺以比蚀刻第一半导体材料更快的速度选择性地蚀刻超晶格结构。代表性方法可进一步包括分别在侧壁凹槽及开口中形成内部间隔物及隔离结构。
主权项：1.一种形成堆叠晶体管的方法，其特征在于，包含：对一第一虚设纳米结构、一第二虚设纳米结构和一半导体纳米结构进行图案化，该半导体纳米结构设置于该第一虚设纳米结构与该第二虚设纳米结构之间，该第一虚设纳米结构包含一第一半导体材料，且该第二虚设纳米结构包含一超晶格结构；进行一蚀刻工艺，该蚀刻工艺使该第一虚设纳米结构凹陷以形成一侧壁凹槽且同时移除该第二虚设纳米结构以形成一开口，该蚀刻工艺以比蚀刻该第一半导体材料更快的一速度选择性地蚀刻该超晶格结构；以及在该侧壁凹槽及该开口中分别形成一内部间隔物及一隔离结构。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成堆叠晶体管的方法
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