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摘要：本申请涉及具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元。存储器单元可包含第一电极、第二电极及所述第一电极与所述第二电极之间的自选择存储元件。所述块体区域可延伸在所述第一电极与所述侧壁区域之间。所述块体区域可包含具有第一组合物的硫属化物材料，且所述侧壁区域可包含具有不同于所述第一组合物的第二组合物的所述硫属化物材料。而且，所述侧壁区域可将所述块体区域与所述第二电极分离。
主权项：1.一种方法，其包括：形成衬底；在所述衬底上形成层堆叠，所述层堆叠包括一或多个导电材料以及一或多个介电材料；在所述层堆叠内形成多个腔；将硫属化物材料沉积到所述多个腔中的腔内，其中所述硫属化物材料接触第一介电材料层和第二介电材料层；以及在将硫属化物材料沉积到所述腔内之后，将第一导电材料沉积到所述腔内以形成第一电极，其中：所述硫属化物材料包括具有第一组合物的块体区域和具有不同于所述第一组合物的第二组合物的侧壁区域；以及所述侧壁区域的一部分在所述第一介电材料层至所述第二介电材料层之间延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元
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