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摘要：本发明涉及一种GaN同质悬臂梁的制备方法，包括以下制备步骤：获取本征GaN基底，在其上外延第一层GaN薄膜，第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区。在第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜。第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；支撑部和第一非故意掺杂区重合连接。通过湿法蚀刻将第一n型重掺杂区和第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留第一非故意掺杂区和第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的GaN同质悬臂梁结构。本发明的GaN同质悬臂梁结构的制备方法工艺简单、稳定性好、制备效率高、可靠性强，可制备尺寸误差0.1nm的微机电结构，可广泛应用于微机电系统。
主权项：1.一种GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：S1，获取本征GaN基底；S2，在所述本征GaN基底上外延第一层GaN薄膜，所述第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中的结构，为通过先外延一层GaN本征薄膜，再对所述GaN本征薄膜选区掺杂而得到；S3，在所述第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜；所述第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，所述第二非故意掺杂区镶嵌于所述第二n型重掺杂区中；所述第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；所述支撑部和所述第一非故意掺杂区重合连接；S4，通过湿法蚀刻将所述第一n型重掺杂区和所述第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留所述第一非故意掺杂区和所述第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的所述GaN同质悬臂梁结构。
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百度查询： 三明学院 一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法
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