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摘要：本公开涉及具有带有不同本体区域平均掺杂浓度和不同源极区域密度的晶体管单元组的晶体管器件。一种晶体管器件包括：在半导体衬底中的多个晶体管单元；以及源极焊盘，其在半导体衬底之上并且电连接到晶体管单元的源极区域和本体区域。第一组晶体管单元具有第一本体区域平均掺杂浓度。第二组晶体管单元具有比第一本体区域平均掺杂浓度高的第二本体区域平均掺杂浓度。第一组和第二组的晶体管单元是交错的。晶体管单元在源极焊盘的被指定用于夹接触的区域下面的半导体衬底的第一区域中具有第一源极区域密度，并且在半导体衬底的在第一区域外部的第二区域中具有比第一源极区域密度低的第二源极区域密度。
主权项：1.一种晶体管器件，包括：在半导体衬底中的多个晶体管单元；以及源极焊盘，其在所述半导体衬底之上并且电连接到所述晶体管单元的源极区域和本体区域，其中第一组晶体管单元具有第一本体区域平均掺杂浓度，其中第二组晶体管单元具有比所述第一本体区域平均掺杂浓度高的第二本体区域平均掺杂浓度，其中所述第一组和第二组的晶体管单元是交错的，其中所述晶体管单元在所述源极焊盘的被指定用于夹接触的区域下面的所述半导体衬底的第一区域中具有第一源极区域密度，并且在所述半导体衬底的在所述第一区域外部的第二区域中具有比所述第一源极区域密度低的第二源极区域密度。
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百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有带有不同本体区域平均掺杂浓度和不同源极区域密度的晶体管单元组的晶体管器件
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