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申请/专利权人：佛山市中山大学研究院;中山大学
摘要：本发明公开了一种ε‑Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法，新材料制备的探测器，针对现有技术功耗高等问题提出本方案。包括依次层叠设置的顶电极、NiO薄膜、ε‑Ga2O3本征层、4H‑SiC衬底和底电极。制备步骤包括：4H‑SiC衬底预处理；金属有机化学气相沉积ε‑Ga2O3本征层；射频磁控溅射NiO薄膜；电子束蒸发制备顶电极、底电极。优点在于，Ga2O3的使用量降低，能降低功耗。在4H‑SiC衬底上生长ε‑Ga2O3，基于SiC具有4.9Wcm·K的优异热导率，ε‑Ga2O3本征层大量的热量可从4H‑SiC衬底中传递解决。同时，正交结构的ε‑Ga2O3晶体与4H‑SiC的面内晶格常数差较小，可以提高ε‑Ga2O3本征层的结晶质量，进而提高光电探测器的探测性能。
主权项：1.一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器，其特征在于，包括从上至下依次层叠设置的顶电极10、NiO薄膜20、ε-Ga2O3本征层30、4H-SiC衬底40和底电极50；其中NiO薄膜20作为P型层、ε-Ga2O3本征层30作为光吸收层、4H-SiC衬底40作为N型层，从而构成PIN结构异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山市中山大学研究院 中山大学 一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法
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