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申请/专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
摘要：本申请提供一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片。该方法包括：将碳化硅衬底放置在碳化硅外延设备的反应腔中，对碳化硅衬底依次进行刻蚀、缓冲层生长和漂移层生长；在得到第一厚度的漂移层后，向反应腔中通入碳源气体，并将反应腔温度提升至第一预设温度，对漂移层进行渗碳，得到初始碳化硅外延片；采用化学机械抛光技术，对初始碳化硅外延片的含硅面进行抛光，得到含有目标厚度的漂移层的碳化硅外延片，第一厚度大于所述目标厚度。本申请大幅提升了碳化硅外延片的少数载流子寿命以及表面结晶质量。
主权项：1.一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法，其特征在于，包括：将碳化硅衬底放置在碳化硅外延设备的反应腔中，对所述碳化硅衬底依次进行刻蚀、缓冲层生长和漂移层生长；在得到第一厚度的漂移层后，向所述反应腔中通入碳源气体，并将所述反应腔温度提升至第一预设温度，对所述漂移层进行渗碳，得到初始碳化硅外延片；采用化学机械抛光技术，对所述初始碳化硅外延片的含硅面进行抛光，得到含有目标厚度的漂移层的碳化硅外延片，所述第一厚度大于所述目标厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河北普兴电子科技股份有限公司 一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片
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