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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供了一种刻蚀机台及半导体结构刻蚀方法，属于半导体领域。该刻蚀机台包括腔体；静电吸盘，设置于所述腔体内；边缘环，配置于所述静电吸盘并沿所述静电吸盘的周向方向设置。本发明通过沿纵向方向，将所述边缘环的高度增加至预设的高度。从而能够将电场击电形成的等离子体鞘层抬高，改善由于边缘电场畸变产生的等离子鞘层畸变问题。进而能够减小对晶圆进行轰击的边缘离子的轰击角度，即，使得边缘离子的轰击角度接近直角，从而能够降低晶圆边缘刻蚀速率翘起的程度，同时也能够改善浅沟槽深度畸变的问题。通过设置导热环，可以将腔体的热量及时导出去，以降低边缘位置浅沟槽的刻蚀深度，从而能够改善浅沟槽深度畸变的技术问题。
主权项：1.一种刻蚀机台，其特征在于，包括：腔体；静电吸盘，设置于所述腔体内，用于承载晶圆；边缘环，配置于所述静电吸盘并沿所述静电吸盘的周向方向设置；其中，沿纵向方向，将所述边缘环的高度增加至预设的高度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 刻蚀机台及半导体结构刻蚀方法
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