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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：提供对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且作为抗蚀剂下层膜的主要成分的聚合物的保存稳定性高的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和使用了该组合物的半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含a下述式I所示的热产酸剂；b含有芳香族环的聚合物；c碱B2；和d溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在式I中，A1为可以被取代的直链、支链或环状的、饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被取代的芳香族环残基，在式一中，B1为抗衡碱，在B1和B2中，至少一种以上碱的pKa大于吡啶的pKa。[A1SO3n]n‑B1IIn+一。
主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：a下述式一所示的热产酸剂；b含有芳香族环的聚合物；c一种或二种以上碱B2；以及d溶剂，[A1SO3n]n-B1Hn+一在式一中，A1为可以被取代的直链、支链或环状的、饱和或不饱和的脂肪族烃基、或可以被取代的芳香族环残基，在式一中，n表示磺酸阴离子基的数目，且为1或2，在式一中，B1为一种或二种以上抗衡碱，为一元碱，或表示二元碱或三元碱的一元碱部分，A1与B1可以通过单键或连接基连接，在B1和B2中，至少一种以上碱的pKa大于吡啶的pKa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物
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