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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：在一般方面，二极管100包括第一导电类型的衬底102、设置在衬底上并包括漂移区120的第一导电类型的半导体层104、设置在邻近漂移区的半导体层中的第二导电类型的屏蔽区110a以及设置在邻近屏蔽区的漂移区的第一部分中的第一导电类型的表面区132a。表面区的掺杂浓度大于邻近表面区的漂移区的第二部分的掺杂浓度。第二部分不包括表面区。二极管包括设置在屏蔽区的至少一部分上的肖特基材料130，漂移区的第一部分中的表面区；和漂移区的第二部分。
主权项：1.一种二极管100,200,300,400,500，所述二极管包括：第一导电类型的衬底102,202,302,402；所述第一导电类型的半导体层104,204,304,404，所述半导体层设置在所述衬底上，所述半导体层包括所述二极管的漂移区120,220,320,420,520；第二导电类型的屏蔽区110a,110b,210a,210b,310a,310b,410a,410b,510，所述屏蔽区设置在邻近所述漂移区的所述半导体层中；所述第一导电类型的表面区132a,132b,232a,232b,332a,332b,432a,432b,540，所述表面区设置在邻近所述屏蔽区的所述漂移区的第一部分中，所述表面区的掺杂浓度大于所述漂移区的第二部分的掺杂浓度，所述表面区设置在所述屏蔽区与所述漂移区的所述第二部分之间，所述漂移区的所述第二部分不包括所述表面区；和肖特基材料130,230,330,430，所述肖特基材料设置在：所述屏蔽区的至少一部分上；所述漂移区的所述第一部分中的所述表面区上；和所述漂移区的所述第二部分上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 具有包括局部化表面区的肖特基接触的二极管
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