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摘要：本发明涉及探测器制造技术领域，公开一种硅漂移探测器，包括：N型硅片、P型光接收阴极、N型阳极、至少两个P型漂移电极环、环间分压电阻线、氧化层薄膜和金属电极；其中，P型光接收阴极设置在N型硅片的底端；N型阳极嵌套设置在N型硅片的顶端中心位置；至少两个P型漂移电极环以N型阳极为圆心，逐层围绕在N型阳极的外侧，离N型阳极最近的一层P型漂移电极环为封闭圆环，剩余的P型漂移电极环为带有开口的圆环，且各圆环的开口在同一条直线上；环间分压电阻线设置在各P型漂移电极环的开口处，与各层P型漂移电极环相连；各个相邻的P型漂移电极环之间的电阻线长度、宽度以及电阻值均相等，最大程度提升内部电势均匀性。
主权项：1.一种硅漂移探测器，其特征在于，所述硅漂移探测器包括：N型硅片；P型光接收阴极，设置在所述N型硅片的底端；N型阳极，嵌套设置在所述N型硅片的顶端中心位置；至少两个P型漂移电极环，以所述N型阳极为圆心，逐层围绕在所述N型阳极的外侧，离所述N型阳极最近的一层所述P型漂移电极环为封闭圆环，剩余的所述P型漂移电极环为带有开口的圆环，且各圆环的开口在同一条直线上；环间分压电阻线，设置在各所述P型漂移电极环的开口处；氧化层薄膜，设置在相邻的所述P型漂移电极环之间和所述P型漂移电极环与所述N型阳极之间；金属电极，设置在各所述P型漂移电极环和所述N型阳极上侧。
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