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申请/专利权人:北京航空航天大学
摘要:本发明属于单晶合金技术领域,具体涉及一种适用于薄壁单晶合金的热处理方法。本发明将薄壁单晶合金进行固溶处理,所述薄壁单晶合金的壁厚≤0.5mm,所述固溶处理包括阶梯式升温处理和冷却处理;所述冷却处理的方式为气冷,所述气冷的降温速率为90~300℃min。本发明提供的单晶薄壁试样的热处理方法,能有效对薄壁试样的组织进行调控,使其具有更优的组织尺寸,同时避免了传统热处理制度带来的组织缺陷。在应用上能为单晶合金的组织调控技术和非常规结构组织调控提供理论和技术上的指导,为单晶合金的应用提供帮助。
主权项:1.一种适用于薄壁单晶合金的热处理方法,其特征在于,包括以下步骤:将薄壁单晶合金进行固溶处理,所述薄壁单晶合金的壁厚≤0.5mm,所述固溶处理包括阶梯式升温处理和冷却处理;所述冷却处理的方式为气冷,所述气冷的降温速率为90~300℃min。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 北京航空航天大学 一种适用于薄壁单晶合金的热处理方法
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