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一种针对芯片设计环节的规范性检测方法 

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申请/专利权人:中茵微电子(南京)有限公司

摘要:本发明提供一种针对芯片设计环节的规范性检测方法,涉及芯片设计规范性检测技术领域,本发明通过严格的DRC错误检查,确保了使用PSUB2的P_RING必须连接到0Vgroundname或位于DNWNBL区域内,从而避免了由于误用PSUB2导致的信号钳位问题。这种严格的检测方式不仅可以防止设计错误,提高设计的可靠性和准确性,还可以节省成本和时间,且对设计团队具有重要的教育意义,显著提升了芯片设计流程的质量和效率。

主权项:1.一种针对芯片设计环节的规范性检测方法,其特征在于,具体步骤包括:S1:基于用户设定,对芯片的结构进行层次划分并创建层次结构图,再对芯片的每个层次进行功能性的描述,对每个层次的描述添加标签;S2:在电路设计工具中,为每个层次定义其连接属性,并在PSUB2检测文件中将参考电位定义为0V衬底;S3:利用SVRF格式工具,根据每个层次的描述及其对应的连接属性编写LVS规则文件并进行层次计算,并根据层次计算的结果形成相应的DRC检测语句;S4:利用LVS工具对芯片进行LVS验证,检测每个层次的连接属性和参考电位的定义是否正确,再利用DRC工具对芯片进行DRC验证,检测芯片中使用了PSUB2检测文件的环型P+区域与0V衬底之间的连接关系,以及环型P+区域的位置关系,并根据检测结果生成错误报告;利用DRC工具对芯片进行DRC验证的步骤包括:利用DRC工具构建PSUB2检测文件,并在PSUB2检测文件中定义PSUB2层、环型P+区域层、DNW层、NBL层;在PSUB2检测文件中定义PSUB2层与0V衬底的参考电位相连接;在PSUB2检测文件中编写检测规则,来检测PSUB2层是否位于DNW层或NBL层的区域内;在PSUB2检测文件中编写检测规则,检测是否存在使用了PSUB2层,但未与0V衬底的参考电位连接,且不在DNW层或NBL层区域内的环型P+区域层,若存在,则生成错误报告。

全文数据:

权利要求:

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