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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请涉及一种对准标记的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底上包括形成有前层对准图案的对准标记区域，其中，前层对准图案包括平行排列的多个初始沟槽，于前层对准图案上形成当层对准图案，当层对准图案填充多个初始沟槽，且暴露出基底未形成初始沟槽的表面，使当层对准图案的顶面高于初始沟槽的顶面，于前层对准图案和当层对准图案上覆盖外延层，其中，对准标记包括前层对准图案、当层对准图案和外延层，从而提高了外延后的对准精度。本申请通过使当层对准图案的顶面高于初始沟槽的顶面，从而使当层对准图案和前层对准图案之间具备高度差，不同高度差的信号强度不同，进一步提高了外延后的对准精度。
主权项：1.一种对准标记的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括形成有前层对准图案的对准标记区域；其中，所述前层对准图案包括平行排列的多个初始沟槽；于所述前层对准图案上形成牺牲层；其中，所述牺牲层上包括多个第一开口，所述多个第一开口暴露出所述多个初始沟槽；采用旋涂工艺于所述第一开口和所述初始沟槽形成的目标沟槽内填充目标溶液；采用第一预设温度处理所述目标溶液，形成当层对准图案；去除所述牺牲层；所述当层对准图案填充所述多个初始沟槽，且暴露出所述基底未形成所述初始沟槽的表面；其中，所述当层对准图案的顶面高于所述初始沟槽的顶面；于所述前层对准图案和所述当层对准图案上覆盖外延层；其中，所述对准标记包括所述前层对准图案、所述当层对准图案和所述外延层；其中，所述采用旋涂工艺于所述第一开口和所述初始沟槽形成的目标沟槽内填充目标溶液之后，及采用第一预设温度处理所述目标溶液之前，还包括：采用第二预设温度处理所述目标溶液，形成固化的目标溶液；平整化所述固化的目标溶液，形成预设高度的目标溶液。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 对准标记的制备方法及半导体结构
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