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申请/专利权人：重庆西南集成电路设计有限责任公司

摘要：本发明提供一种毫米波宽带倍频及驱动电路，所述电路包括宽带输入放大模块、宽带倍频模块及宽带输出放大模块，通过宽带输入放大模块及宽带输出放大模块进行放大处理，提高了信号增益，提高了输出功率，提升了对后级电路的驱动能力，通过宽带倍频模块对信号进行谐振倍频处理，提升了信号带宽，得到宽带倍频驱动信号，进而有效提升了信号的频率带宽及驱动能力；同时，通过偏置电压的温度漂移抵消宽带输入放大模块、宽带倍频模块及宽带输出放大模块中晶体管的导通阈值电压温度漂移，使得宽带输入放大模块、宽带倍频模块及宽带输出放大模块的输出功率随温度变化较小，提高了得到的宽带倍频驱动信号的功率稳定性。

主权项：1.一种毫米波宽带倍频及驱动电路，其特征在于，包括：宽带输入放大模块，接输入信号，并对所述输入信号进行放大处理，得到输入放大信号；宽带倍频模块，接所述输入放大信号，并对所述输入放大信号进行谐振倍频处理，得到宽带倍频信号；宽带输出放大模块，接所述宽带倍频信号，并对所述宽带倍频信号进行放大处理，得到宽带倍频驱动信号；所述宽带输入放大模块包括依次级联的第一宽带输入放大级及第二宽带输入放大级，所述第一宽带输入放大级的输入端接所述输入信号，所述第一宽带输入放大级的输出端接所述第二宽带输入放大级的输入端，所述第二宽带输入放大级的输出端输出所述输入放大信号；所述输入信号为差分信号，所述第一宽带输入放大级包括第一电感、第二电感、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一变压器、第一NMOS管及第二NMOS管，所述第一电感的第一端作为所述输入信号的输入正端，所述第一电感的第二端接所述第一NMOS管的栅极，所述第二电感的第一端作为所述输入信号的输入负端，所述第二电感的第二端接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极及所述第二NMOS管的源极分别接地，所述第一NMOS管的栅极还经依次串接的所述第一电阻及所述第二电阻后接所述第二NMOS管的栅极，所述第一电阻与所述第二电阻的公共端接第一偏置电压，所述第一电容的第一端接所述第一NMOS管的漏极，所述第一电容的第二端接所述第二NMOS管的栅极，所述第二电容的第一端接所述第二NMOS管的漏极，所述第二电容的第二端接所述第一NMOS管的栅极，所述第三电容的第一端接所述第一NMOS管的漏极，所述第三电容的第二端接所述第四电容的第一端，所述第四电容的第二端接所述第二NMOS管的漏极，所述第一变压器的输入一端接所述第一NMOS管的漏极，所述第一变压器的输入另一端接所述第二NMOS管的漏极；所述第二宽带输入放大级包括第三电阻、第四电阻、第五电容、第六电容、第二变压器、第三NMOS管及第四NMOS管，所述第一变压器的输出一端接所述第三NMOS管的栅极，所述第一变压器的输出另一端接所述第四NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极及所述第四NMOS管的源极分别接地，所述第三NMOS管的栅极还经依次串接的所述第三电阻及所述第四电阻后接所述第四NMOS管的栅极，所述第三电阻与所述第四电阻的公共端接第二偏置电压，所述第五电容的第一端接所述第三NMOS管的漏极，所述第五电容的第二端接所述第四NMOS管的栅极，所述第六电容的第一端接所述第四NMOS管的漏极，所述第六电容的第二端接所述第三NMOS管的栅极，所述第二变压器的输入一端接所述第三NMOS管的漏极，所述第二变压器的输入另一端接所述第四NMOS管的漏极；所述宽带倍频模块包括第三电感、第四电感、第七电容、第八电容、第五电阻、第六电阻、第五NMOS管、第六NMOS管、第三变压器及第四变压器，所述第二变压器的输出一端经串接的所述第三电感后接所述第五NMOS管的栅极，所述第二变压器的输出另一端经串接的所述第四电感后接所述第六NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的栅极还经依次串接的所述第五电阻及所述第六电阻后接所述第六NMOS管的栅极，所述第五电阻与所述第六电阻的公共端接第三偏置电压，所述第七电容的第一端接所述第五NMOS管的栅极，所述第七电容的第二端接所述第八电容的第一端，所述第八电容的第二端接所述第六NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的源极接所述第六NMOS管的源极，所述第五NMOS管的漏极接所述第六NMOS管的漏极，所述第三变压器的输入一端接电源电压，所述第三变压器的输入另一端接所述第五NMOS管的漏极，所述第四变压器的输入一端接所述第五NMOS管的源极，所述第四变压器的输入另一端接地，所述第三变压器的输出一端作为所述宽带倍频信号的输出正端，所述第三变压器的输出另一端接所述第四变压器的输出一端，所述第四变压器的输出另一端作为所述宽带倍频信号的输出负端；其中，所述宽带输入放大模块、所述宽带倍频模块及所述宽带输出放大模块分别包括晶体管，所述晶体管的控制端接有随温度变化的偏置电压，以通过所述偏置电压的温度漂移抵消所述晶体管的导通阈值电压温度漂移。

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