龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于半导体材料及器件技术领域，公开了一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括二硫化钼层、金属源电极、金属漏电极、绝缘介质层、金属栅电极和图案化起伏的衬底，其中：二硫化钼层为单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域，该二硫化钼单晶晶域与图案化起伏的衬底直接接触，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖。本发明通过在图案化起伏的衬底上保形生长单晶二硫化钼薄膜，并经微纳加工制备得到场效应晶体管。本发明利用原位生长在图案化衬底上得到了保形生长的单晶二硫化钼，性能优于传统转移方式得到的图案化衬底上二硫化钼薄膜。
主权项：1.一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管，其特征在于，包括二硫化钼层、金属源电极、金属漏电极、绝缘介质层、金属栅电极和图案化起伏的衬底，其中：所述二硫化钼层为单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域，该二硫化钼单晶晶域与所述图案化起伏的衬底直接接触，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖；所述金属源电极与所述金属漏电极设置在所述二硫化钼层上，并位于所述二硫化钼层的两端，从而分别形成源极和漏极；所述金属栅电极位于所述二硫化钼层的上方，并通过所述绝缘介质层与所述二硫化钼层相连，从而形成栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号