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申请/专利权人：苏州大学
摘要：本发明属于抛光轨迹规划技术领域，涉及一种曲面抛光轨迹均匀覆盖方法、装置及可读存储介质：将待加工曲面的I圈平面抛光轨迹映射至网格模型，得到I圈曲面轨迹；在第1圈曲面轨迹中选取基准点，对第1圈曲面轨迹中每个轨迹点进行调整，直到每个轨迹点与基准点之间的欧式距离等于目标距离，得到第1条抛光轨迹；初始化i＝2；对于第i圈曲面轨迹中每个轨迹点，在第i‑1条抛光轨迹中选取相应基准点，并对各个轨迹点进行调整，直到第i圈曲面轨迹中每个轨迹点与其相应的基准点之间的欧式距离等于目标距离，得到第i条抛光轨迹；更新i＝i+1，并对第i圈曲面轨迹中的轨迹点进行调整，直到i＝I，得到目标抛光轨迹。
主权项：1.一种曲面抛光轨迹均匀覆盖方法，其特征在于，包括：S10：对待加工曲面进行离散化，得到待加工曲面的网格模型；S20：获取待加工曲面的I圈平面抛光轨迹，将所述I圈平面抛光轨迹上的各个平面轨迹点映射至所述网格模型中，得到I圈曲面轨迹；S30：在第1圈曲面轨迹中选取基准点，对第1圈曲面轨迹中每个轨迹点进行调整，直到第1圈曲面轨迹中每个轨迹点与所述基准点之间的欧式距离等于该轨迹点与基准点之间的目标距离，得到第1条抛光轨迹；其中，若I圈曲面轨迹为对称轨迹，则将第1圈曲面轨迹中位于对称点处的轨迹点作为基准点，若I圈曲面轨迹为非对称轨迹，则将第1圈曲面轨迹中第一个轨迹点作为基准点；S40：初始化i＝2；S50：对于第i圈曲面轨迹中每个轨迹点，在第i-1条抛光轨迹中选取与其欧式距离最近的轨迹点作为基准点，对第i圈曲面轨迹中各个轨迹点进行调整，直到第i圈曲面轨迹中每个轨迹点与其对应的基准点之间的欧式距离等于该轨迹点与其对应的基准点之间的目标距离，得到第i条抛光轨迹；S60：更新i＝i+1，并返回执行步骤S50，直到i＝I，基于I条抛光轨迹得到待加工曲面的目标抛光轨迹；其中，轨迹点与基准点之间的目标距离为轨迹点处的抛光接触圆半径、轨迹点对应的基准点处的抛光接触圆半径和预设抛光轨迹重叠量之差的绝对值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州大学 一种曲面抛光轨迹均匀覆盖方法、装置及可读存储介质
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