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申请/专利权人:中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要:本发明公开了一种射频传输元件及其制备方法、等离子体装置。所述射频传输元件与一射频源相连,所述射频源用于发送射频信号,所述射频传输元件包括:射频传递结构和保护层,所述保护层位于所述射频传递结构的整个表面;其中,所述保护层的材质包括类金刚石或金刚石。本发明通过在射频传递结构的整个表面形成DLC或金刚石保护层,有效防止了射频传输元件被氧化或腐蚀而引起导电性变化和外观差异;所述保护层具有优异的耐磨性和导热性,能够避免射频传输元件被划伤或散热不畅等问题,延长其使用寿命。本发明还通过在射频传递结构不同金属层之间形成DLC或金刚石阻挡层,有效阻挡了不同金属层间的金属扩散,避免对射频传输元件导电性的影响。
主权项:1.一种射频传输元件,所述射频传输元件与一射频源相连,所述射频源用于发送射频信号,其特征在于,包括:射频传递结构,其包括相对的第一端和第二端,所述第一端与射频源相连,用于接收所述射频源发送的射频信号,所述射频信号沿所述射频传递结构传递至第二端;保护层,位于所述射频传递结构的表面;其中,所述保护层的材质包括类金刚石或金刚石;所述保护层覆盖所述射频传递结构的整个表面。
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权利要求:
百度查询: 中微半导体设备(上海)股份有限公司 射频传输元件及其制备方法、等离子体装置
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