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申请/专利权人：广西自贸区睿显科技有限公司
摘要：本发明提供了一种OLEDRGB子像素的制作方法，属于半导体硅基OLED显示技术领域，解决了OLED使用FMM蒸镀受到小尺寸限制和使用白光OLED加一层CF制作成本高，亮度色域低的问题。本发明采用注入技术和设置开口，允许在不使用FMM的情况下，通过精确控制离子注入的位置、深度和剂量，实现超精细像素的精准制作；通过直接在不同区域蒸镀不同颜色的OLED发光材料，并利用离子注入技术选择性地破坏不需要发光的区域，从而无需额外的CF层，不仅降低了生产成本，还显著提高了产品的亮度和色彩饱和度。
主权项：1.一种OLEDRGB子像素的制作方法，其特征在于，所述OLEDRGB子像素的制作方法包括以下步骤：S1使用光刻设备在硅片基板上进行光刻，制备阳极像素结构，使用蚀刻设备去除不需要的部分，在硅片基板上形成阳极像素层；S2在阳极像素层上，通过蒸镀或旋涂的方法施加一层电洞传输材料，形成电洞层，以确保层与层之间的良好界面；然后使用OLED蒸镀设备，在电洞层上均匀蒸镀R颜色的发光材料，覆盖整个硅片基板，形成R颜色发光层；S3使用离子注入设备在GB位置注入BF3或PH2,通过植入B+或P-离子，破坏GB位置的R颜色发光区域；S4使用OLED蒸镀设备，在经过破坏处理的R颜色发光层上蒸镀G颜色的发光材料，覆盖整个基板，形成G颜色发光层；S5使用离子注入设备在RB位置注入BF3或PH3，通过植入B+或P-离子，破坏RB位置的G颜色发光区域；S6使用OLED蒸镀设备，在经过破坏处理的G颜色发光层上蒸镀B颜色的发光材料，覆盖整个基板；形成B颜色发光层；S7使用离子注入设备在RG位置注入BF3或PH3，通过植入B+或P-离子，破坏RG位置的B颜色发光区域；S8使用OLED镀膜设备，在经过破坏处理的B颜色发光层上均匀地镀上阴极材料，形成阴极层；然后使用ALD密封设备，利用原子层沉积技术在阴极层镀上一层密封层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广西自贸区睿显科技有限公司 一种OLED RGB子像素的制作方法
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